DAK-R - 低损耗材料介电测量系统

● DAK-R : 10、17、26、35、45GHz
● 符合IPC TM-650 2.5.5.13测试标准

在5G/6G应用市场中,低损耗材料的需求日益增加,低损耗材料可以减少传输损耗,提高通信效率和质量,特别是在智能手机、高频应用、先进封装等技术中发挥重要作用。
DAK-R采用分离式谐振腔原理,适用于5G薄膜等非破坏性低介电损耗材料的测量。
  • 高速数字与微波电路用基底材料、滤波器和介电天线用低损耗电介质、化学制品等
  • 薄膜与新材料、半导体材料、电子材料
  • 陶瓷材料、纳米材料、光电材料等
  • 新型腔体设计,抑制不必要的共振,对被测材料无破坏性
  • 创新的垂直腔体设计,便于在测量过程中处理样品
  • Q值>25000,εr<100,tan δ<01
  • 测量精度:εr:±1%、tan δ:0001
  • 一个腔体覆盖5个频点(10、18、26、36、45GHz)

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