DAK-R - 低損耗材料介電測量系統

● DAK-R : 10、17、26、35、45GHz
● 符合IPC TM-650 2.5.5.13測試標準

在5G/6G應用市場中,對低損耗材料的需求日益增多,低損耗材料可以減少傳輸損耗,提高通信效率和質量,特別是在智能手機、高頻應用、先進封裝等技術中發揮重要作用。
DAK-R採用分離式諧振腔原理,適用於5G薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測。
  • 高速數字與微波電路用基底材料、濾波器和介電天線用低損耗電介質、化學製品等
  • 薄膜與新材料、半導體材料、電子材料
  • 陶瓷材料、納米材料、光電材料等
  • 新型腔體設計,抑制不必要的共振,對被測材料無破壞性
  • 創新的垂直腔體設計,便於在測量過程中處理樣品
  • Q值>25000,εr<100,tan δ<0.01
  • 測量精度:εr:±1%、tan δ:0.0001
  • 一個腔體覆蓋5個頻點(10、18、26、36、45GHz)

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